测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（)。

饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。

A.漏区和源区的电压降可以忽略不计

B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C.在沟道内载流子的迁移率为常数

D.其他选项都正确

A.漏极电流与漏极电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

源电压V_DD，静态栅源电压V_GS，漏极电流I_DQ和漏源电压V_DSQ值;(2) 已知R_g1=200kQ，R_g2等于多少？(3) R_d、R_L的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度V_om(设v_i为正弦信号)。