n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.n型，电源电压

B.n型，地

C.p型，电源电压

D.p型，地

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,

C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V_A|=200V,V_DS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流I_DQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻r_ds,放大因子μ.(2)当V_DS增加10%时,相应的I_DQ值.(3)画出小信号电路模型.

饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

A.漏区和源区的电压降可以忽略不计

B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C.在沟道内载流子的迁移率为常数

D.其他选项都正确

A.∝(VGS-VT)²

B.∝W/L

C.∝L

D.∝Cox

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区