增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

C_gm=0.3 pF，C_gd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率f_H＞10MHz，试求信号源内阻R_si的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

CMOS共源放大电路如图题4.11.2（主教材图4.6.8a)所示，将电流源I_REF换成电阻R_REF。设所有

MOS管的|V_T|=0.8V，λ=0.01v^-1。NMOS管的K_n=80μA/V₂，(W/L)T₁=15;PMOS管的K_n=40μA/V₂，(W/L)T₂·T₃=30，V_DD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻R_REF的电流为0.2mA时，确定电阻R_REF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v₀=f(v₁)，并求当v_o位于中点时对应的v₁值;(3)求小信号电压增益。

A.可变电阻区

B.预夹断临界点

C.截止区

D.饱和区