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[主观题]

如图3-14所示,已知φ0</sub>= φ0</sub>=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:1=45°, 1</sub>=52°10

如图3-14所示,已知φ0</sub>= φ0</sub>=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:1=45°,1</sub>=52°10

如图3-14所示,已知φ0= φ0=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:

1=45°,如图3-14所示,已知φ0= φ0=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:1=45°, 1=52°11=52°10'; φ2=90°,ψ2=82°10';φ3=135°,ψ3=112°10'.机架长度lCD=50mm.试用解析法设计此机构.

如图3-14所示,已知φ0= φ0=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:1=45°, 1=52°1

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更多“如图3-14所示,已知φ0= φ0=0°,原动件和从动件的三对对应位置为:1=45°, 1=52°10”相关的问题

第1题

已知系统结构图如图3-9所示:(1)欲使系统闭环极点配置在-3+j4, -3-j4处,试求K1</sub>和K2</sub>的

已知系统结构图如图3-9所示:

(1)欲使系统闭环极点配置在-3+j4, -3-j4处,试求K1和K2的值;

(2)设计G(s),使阶跃作用u(t)下稳态误差为零。

已知系统结构图如图3-9所示:(1)欲使系统闭环极点配置在-3+j4, -3-j4处,试求K1和K2

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第2题

如习题4-3图(a)所示电容中电流i的波形如图(b)所示,已知uC(0)=0,试求t=1s,t=2s和t=4s时电容电压uC。

如习题4-3图(a)所示电容中电流i的波形如图(b)所示,已知uC(0)=0,试求t=1s,t=2s和t=4s时电容电压uC

如习题4-3图(a)所示电容中电流i的波形如图(b)所示,已知uC(0)=0,试求t=1s,t=2s

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第3题

正弦稳态相量模型电路如图2.3.24所示,已知=10∠0°V,R=3Ω,,求电路的平均功率、无功功率、视在功率和功率N数。

正弦稳态相量模型电路如图2.3.24所示,已知正弦稳态相量模型电路如图2.3.24所示,已知=10∠0°V,R=3Ω,,求电路的平均功率、无功功率=10∠0°V,R=3Ω,正弦稳态相量模型电路如图2.3.24所示,已知=10∠0°V,R=3Ω,,求电路的平均功率、无功功率,求电路的平均功率、无功功率、视在功率和功率N数。

正弦稳态相量模型电路如图2.3.24所示,已知=10∠0°V,R=3Ω,,求电路的平均功率、无功功率

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第4题

有一封闭的刚性水箱充满了温度为20℃,质量为5kg的水,如图3-14所示。水被叶轮和轴的联动机构所搅动,而轮轴则由质量为450kg的物体下落30m所作的功来带动。若水箱与外界绝热,求在物体降落以后水的平衡温度。取水的比热容为c=4.186KJ/(kg·K)。
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第5题

如图3-14(a)所示,某办公大楼的内廊为现浇简支在砖墙上的钢筋混凝土平板,板上作用的均布活荷载标准值为qk=2.

如图3-14(a)所示,某办公大楼的内廊为现浇简支在砖墙上的钢筋混凝土平板,板上作用的均布活荷载标准值为qk=2.0kN/m2。水磨石地面及细石混凝土垫层共30mm厚(平均容重为22kN/m3),板底粉刷石灰砂12mm厚(容重为17kN/m3)。混凝土强度等级选用C25,纵向受拉钢筋采用HPB235,环境类别为一类,试确定板厚度和受拉钢筋截面面积。

如图3-14(a)所示,某办公大楼的内廊为现浇简支在砖墙上的钢筋混凝土平板,板上作用的均布活荷载标准

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第6题

图10.17(a)、(b)、(c)、(d)所示各触发器中,设触发器初始状态为0,并已知时钟脉冲CP的波形如图10.17(e)所示。试画

图10.17(a)、(b)、(c)、(d)所示各触发器中,设触发器初始状态为0,并已知时钟脉冲CP的波形如图10.17(e)所示。试画出各触发器Q1,Q2,Q3,Q4的波形。

图10.17(a)、(b)、(c)、(d)所示各触发器中,设触发器初始状态为0,并已知时钟脉冲CP的

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第7题

长方形板在题3-14图所示5个力作用下,合力FR通过形心并沿铅垂方向,求F的大小和位置。已知F≇

长方形板在题3-14图所示5个力作用下,合力FR通过形心并沿铅垂方向,求F的大小和位置。已知F1=F2=F3=F4=100N。

长方形板在题3-14图所示5个力作用下,合力FR通过形心并沿铅垂方向,求F的大小和位置。已知F≇长方

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第8题

t≥0时电路如图题12-2所示,已知iL(0_)=-2A,uc(0_)=2V,试求uc(t),t≥0。
t≥0时电路如图题12-2所示,已知iL(0_)=-2A,uc(0_)=2V,试求uc(t),t≥0。

t≥0时电路如图题12-2所示,已知iL(0_)=-2A,uc(0_)=2V,试求uc(t),t≥0

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第9题

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,已知管子参数一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,设λ=0,试设计该电路.

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,

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第10题

一质点沿x轴方向作直线运动,其建度与时间的关系如图(a)所示,设t=0时,x=0,试根据已知的v=t,画出
一质点沿x轴方向作直线运动,其建度与时间的关系如图(a)所示,设t=0时,x=0,试根据已知的v=t,画出

a-t图以及x-t图。

一质点沿x轴方向作直线运动,其建度与时间的关系如图(a)所示,设t=0时,x=0,试根据已知的v=t

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