可控硅由导通变为截止的条件有（）。

A.升高阳极电压

B.断开控制电路

C.降低阴极电压

D.正向电流最小维持电流

A.仍有

B.失去

C.有时有

D.以上都有可能

A.具备IP送出条件

B.水冷系统在高速运转状态

C.收到控制系统送来的FP

D.阻尼电容已充好电，能给可控硅一定的导通电压

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.截止

B.导通

C.由截止转导通

D.由导通转截止

A.反向特性

B.导通特性

C.截止特性

D.单向导电性

A.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压

B.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压

C.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压

D.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压

A.外电路的负载

B.可控硅的通态平均电流

C.可控硅A—K之间的电压

D.触发电压