BC021可控硅从截止状态到导通需要一定的时间。（)

A.导通状态、放大状态、截止状态

B.饱和状态、放大状态、截止状态

C.饱和状态、恒流状态、截止状态

D.饱和状态、放大状态、开路状态

A.正半周导通

B.负半周导通

C.负半周截止

D.正半周截止

A.无论导通态还是截止态，静态功耗都很小

B.两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小

C.在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗

D.开关时间短，可以迅速完成状态转换

A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

A.阳极

B.阴极

C.正向

D.反向

A.交流

B.直流

C.脉动

D.正弦

某可控硅控制电路中的负载电流为

其中ω为圆频率，周期。现设初

始导通时间。求I(t)在[0,T]上的Fourier级数。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止