如图4-2-2的平行六面体中，试证

线相切，无论切于何处，测量结果均相同，其值为W₃=2p_b+s_b(注：p_b和s_b分别表示基圆齿距和基圆齿厚)。

某I型和某II型系统的对数幅频特性的渐近线如图2-5-14(a)和(b)所示,试证:

其中K_c和K_e分别为静态速度误差系数和静态加速度误差系数。

出理由，判断它是否构成一点阵结构？请画出能够概括这一组点的周期性的点阵及其素单位。

有两个点电荷带电量分别为nq和-q（n＞1)，相距d，如图3.15所示，试证电势为零的等势面为一球面，并

求出球面半径及球心坐标(设无穷远处为电势零点)。

试证h₁H₁=h₂H₂

由三只特性相同的N-EMOSFET构成的电压-电流变换器如图NP4-13（a)所示，现将四个同样的变换器连

成图NP4-13(b)所示模拟相乘器，已知各管工作于饱和区，沟道长度调制效应忽略不计，输出电流i=i₁-i₂，试证:。

某集成电路中的局部原理电路如图LP2-16所示,已知V_BB=

试计算值.

为改善调制线性，可采用双重集电极调幅电路，如图NP4-26（a)所示，相应理想化的调制特性如图NP4-2

6(b)所示。试补电路中遗漏元件，并求M_a=1时的最大V_cc值。

电路如图4.24(a)所示.设两个触发器初始状态为0,试在图4.24(b)中画出B、C波形.

流所产生的磁场的磁感应强度为多大？

答:

6、如图12-1所示，试求处于基态原子中，电子运动的等效电流为1.06x10^-3A。在氢原子核处，这个电流所产生的磁场的磁感应强度为多大？