双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。（)

A.双极晶体管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力MOS场效应管

D.门极关断晶闸管

E.场控晶闸管

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为，管子极问电容不计。电路元件R_O=1kΩ，C_O为隔直流电容，C_S为旁路电容，R_C1、R_C2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的V_CSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品，应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品，如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的，应立即停机反馈

A.采用应力工程，提高载流子迁移率

B.提高跨导

C.增加沟道长度

D.减小栅围寄生电容

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有