动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。

A.存储内容动态变化

B.需要定时刷新

C.存储的数据具有非易失性

D.可以不按地址进行访问

A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类

B．SRAM的集成度比DRAM高

C．DRAM的存取速度比SRAM快

D．DRAM中存储的数据无须“刷新”

A.静态RAM基本存储单元体积大，成本高，但读写速度快

B.动态RAM基本存储单元体积小，成本低，但读写速度慢

C.动态RAM需要定期刷新

D.静态RAM主要用于构成主存

A.包含输入输出电路

B.包含传感器

C.内部存有工作程序

D.故障码存储在RAM中

在计算机术语中经常用RAM表示()。

A.只读在座器

B.可编程只读存储器

C.动态随机存储器

D.随机存取存储器

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为，管子极问电容不计。电路元件R_O=1kΩ，C_O为隔直流电容，C_S为旁路电容，R_C1、R_C2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的V_CSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。

=3 kS，R_L=1，BJT的V_BE=0.7V，β=200，MOS管的V_TS=1V，K_n=1mA/V²。对交流信号，电容C_b1、C_b2，C_b3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流，即T₁管的I_DQ、T₂管的I_CQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益A_P、输入电阻R_i和输出电阻R₀。