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[单选题]

下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

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发布时间：2022-09-11

更多“下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。”相关的问题

第1题

下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅（）。

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

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第2题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。（)

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第3题

MOS管是一个几端器件（）？

A.3端

B.4端

C.5端

D.2端

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第4题

下列电路属于单极型器件集成的应是（).

A.TTL集成电路

B.HTL集成电路

C.MOS集成电路

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第5题

下面哪种器件属于电压驱动型（)。

A.scr

B.gtr

C.igbt

D.gto

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第6题

下面哪些信息不能够通过摄影测量方式能够获得（）

A.物体形状

B.物体大小

C.物体空间位置

D.物体的温度

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第7题

MOS半导体存储器中，()的外围电路简单，速度()，但其使用的器件多，集成度不高。

MOS半导体存储器中，（)的外围电路简单，速度（)，但其使用的器件多，集成度不高。

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第8题

以下哪种备份方式不能够将数据恢复到之前时间节点的状态（)。

A.磁带库备份

B.CDP

C.双活镜像(实时同步)

D.定期增量备份

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第9题

下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)

A.绝缘栅双极晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.静电感应晶体管

D.集成门极换流晶闸管

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第10题

将终端的12V正端脉冲回路的正端，脉冲回路的负端接电能表光电耦合器件的C端，电能表的光电耦合器件的E端接终端12V的负端，属于哪种输出方式（）。

A.发射极输出方式

B.继电器型输出方式

C.集电极输出方式

D.对极输出方式

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