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[主观题]

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS(off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS（off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

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发布时间：2022-10-02

更多“已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V，饱和漏极电流IDSS=0.50mA，试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。”相关的问题

第1题

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V² ，

求解下列问题：（1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，沟道长度调制效应可忽略。试求V_GSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的l_EQ=0.1mA，I_ES=6x10^-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求V_BEQ的值。

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第2题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第4题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第5题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

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第6题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第7题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第8题

在绝缘栅型场效应管中，应用最广泛的是NMOS场效应管。（)

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第9题

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第10题

在NMOS或非门中，电路只要有一个输入端是高电平，对应的工作管就导通了，输出就是低电平。（)

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