关于半导体的说法中错误的是（)。

A.某种溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体，所以，这种溶液是半导体

B.汞的导电性大大小于铝.铜.铁等金属材料，所以，汞是半导体物质

C.干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝.铜等金属材料，有人说，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

D.在纯结晶状态的硅中掺入某些元素原子后，会由不导电变为导电，但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，

所以，硅是半导体物质

半导体是导电性介于金属和绝缘体之间的物质。

按这个定义，下面说法错误的是（）。

A. 某种溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体，所以，这种溶液是半导体

B. 汞的导电性能大大小于铝、铜、铁等金属材料，所以汞是半导体物质

C. 干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝、铜、等金属材料。有人说，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

D. 在纯结晶状态的硅中掺入某些元素原子后，会由不导电变为导电。但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，所以，硅是半导体物质

A．某溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体。所以这种溶液是半导体

B．干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝、铜等金属。因此，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

C．汞的导电性大大小于铝、铜、铁等金属材料，所以，汞是半导体物质

D．在纯结晶状态的硅中掺入某些元素原子后，会由不导电变为导电，但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，所以，是硅半导体物质

A.二个

B.三个

C.四个

D.五个

E.六个

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大