下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)

A.scr

B.gtr

C.igbt

D.gto

A.发射极输出方式

B.继电器型输出方式

C.集电极输出方式

D.对极输出方式

开关电源中常用的功率开关器件主要有（)。

A、双极型晶体管BJT

B、快速晶闸管SCR

C、场效应管MOSFET

D、绝缘栅双极性晶体管IGBT

等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力(logical effort)为()。

‌A.5/3

B.2/3

C.1

D.4/3

A.输出电压摆幅等于电源电压

B.逻辑电平与器件的相对尺寸无关

C.CMOS反相器具有高输出阻抗，这使它对噪声和干扰不敏感

D.由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上，所以稳态输入电流几乎为零

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

设运放为理想器件。在下列几种情况下，试回答它们应分别属于哪种类型的滤波电路（低通，高通，带通，带阳)。并定性画出其幅频特性。（1) 理想情况下，当f=0和f=∞时的电压增益相等，且不为零;（2) 直流电压增益就是它的通带电压增益;（3) 在理想情况下，当f→∞时的电压增益就是它的通带电压增益;（4) 在f=0和f→∞时的电压增益都等于零。