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（请给出正确答案）
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为
，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
答案
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第1题
两种改进型电容三点式振荡电路如图题9.7.3a,b所示，试回答下列问题：
(1)画出图a的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2)画出图b的交流通路，若Cb很大，C1＞＞C3，C2＞＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3)定性说明电容对两种电路振荡频率的影响。
第2题
不能，指出可能振荡的电路属于什么类型。
第3题
对图题9.7.2所示的各三点式振荡器的交流通路(或电路)，试用相位平衡条件判断哪个可能振荡，哪个不能，指出可能振荡的电路属于什么类型。
第4题
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的
若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求
值.
第6题
第7题
源上充电，当(1)充足电后;(2)然后平行插入一块面积相同、厚度为δ(δ＜ d)、相对电容率为ε，的电介质板;(3)将上述电介质换为同样大小的导体板。分别求电容器的电容C，极板上的电荷Q和极板间的电场强度E。
第8题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第9题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第10题
第11题
d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
