已知图P2.16（a)所示电路中场效应管的转移特性如图（b)所示.求解电路的Q点和A_u.

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。

(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解A_u，r_i和r_o。

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。。

电路如图3-21所示，已知场效应管的低频跨导为g_m，试写出A_v、R_i和R_o的表达式。

图3-21

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V_GS=2.5V、3V时的V₀值,并进行分析.

下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的I_DSS=2mA，U_GS(off)=-4V，计算I_D和U_DS的值。

已知下图所示的电路中，结型场效应管的I_DSS=3mA，U_GS(off)=-3V。当R_D分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时，场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)？

图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容C_D对交流呈短路υ₁=10mΥ,试求值.

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.