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题目内容
（请给出正确答案）
A.电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用
B.在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波
C.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大
D.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低
E.声学波散射的散射几率随温度升高而增大;光学波散射的散射几率随温度升高而降低
答案
更多“以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是：（)。”相关的问题
第1题
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
第2题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第3题
A.信道统计特性随时间变化
B.不同多普勒频移的信号经历的衰落不相关
C.不同时延的信号经历的衰落不相关
D.传输函数频域平稳
第4题
A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献
B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D.通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
第6题
A.临界转速就是压缩机所承受的最大转速
B.临界转速下机组易产生共振
C.正常升速时应尽快通过临界转速防止共振
D.是可以通过高速动平衡来减小转子临界转速时的强烈振动
第7题
A.雨后初晴的时候常出现
B.多出现在农历六月下旬
C.一般出现在无风的傍晚时分
D.出现时阳光与云层要巧妙配合
第8题
A.表面损伤层检测直选用频率较高的厚度振动式换能器
B.表面损伤层检测宜选用频率较低的厚度振动式换能器
C.测试时换能器应耦合好，并保持不动，然后将换能器依次耦合在间距为30mm的测点1、2、....位置上
D.测试时换能器应耦合好，并保持不动，然后将换能器依次耦合在间距为10mm的测点1、2、....位置上
