试求图NP4-18所示电路的混频损耗L_c，假设各二极管均工作在受v_L控制的开关状态，且R_D⌘

图NP4-14所示AD630平衡调制器简化结构中:（1)若同相和反相放大器的闭环电压增益|A_vf|均为2

0dB，R₁=10kΩ，求R_f和R₂值;(2)若将它分别作为双边带调制器、双边带调制信号解调器混频电路，试写出v₁,v₂,v₀表示式。

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。。

已知混频电路的输入信号电压v_s（t)=V_smcosω_ct，本振电压v_L（t)=VLmcosω_Lt，

静态偏置电压V_Q=0V，在满足线性时变条件下，试分别求出具有图NP4-20所示两种伏安特性的混频管的混频跨导g_mc。

作在受V₂控制的开关状态。若设R_L>>R_D(=1/g_D)，试分析电路分别工作在混频和振幅调制时v₁(t),v₂(t)各应为什么信号，并写出V_o(t)表示式。

图LP1-17所示电路,已知二极管参数,试求通过二极管的电流

图LT4-7所示电路中,已知晶体三极管β=150,V_A=-100V,V_BE（OD)=0.7V,试求设各电容对交流呈

图LT4-7所示电路中,已知晶体三极管β=150,V_A=-100V,V_BE(OD)=0.7V,试求设各电容对交流呈短路.

试求图LT6-4所示电路电压增益表达式.设各集成运放是理想.

图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,（1)试求集电极电流I_C1、I_C2,集电极电压V_C1、

图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,(1)试求集电极电流I_C1、I_C2,集电极电压V_C1、V_C2;

(2)若R_B2改为3kΩ,试指出T₁和T₂管的工作模式;

(3)若R_C2改为5.1kΩ,试求β_2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.

在图LP4-3所示电路中，已知室温下硅管的β=100，V_BE（on)=0.7 V，I_CBO=10^-15A，试求温

度升高40℃时的I_CQ与V_CEQ值。