更多“反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。（)”相关的问题
第1题
干法刻蚀主要包括下面几类（)。
A.离子束刻蚀IBE
B.等离子体刻蚀PE
C.反应离子刻蚀RIE
D.高密度等离子体刻蚀HDP
点击查看答案
第2题
反应离子刻蚀RIE工作过程中若物理作用占主导则刻蚀损伤较大;若化学作用占主导则刻蚀速度较慢，各项同性，表面粗糙。（)
点击查看答案
第3题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（)。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
点击查看答案
第4题
当刻蚀线条时，刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值称之为（)。
A.刻蚀速率
B.刻蚀均匀性
C.刻蚀选择比
D.刻蚀因子
点击查看答案
第5题
高选择比意味着只去除想要刻蚀掉的膜层材料，所以选择比要求越高越好。（)
点击查看答案
第6题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（)的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
点击查看答案
第7题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（)使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层
点击查看答案
第8题
（)的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。
点击查看答案
第9题
（)是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
点击查看答案
第10题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（)是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
点击查看答案
题目内容
（请给出正确答案）
答案
请输入或粘贴题目内容
搜题
拍照、语音搜题，请扫码下载APP
