对金属晶体中禁带的描述正确的是 ()

A.半导体中有导带带，金属中没有

B.金属中有禁带，半导体中没有

C.半导体中有禁带，金属中没有

D.金属中有导带带，半导体中没有

B、在液体中又不断形成许多小晶体，并逐渐长大，如此发展下去，直至各个晶体彼此接触，液体完全消失，这些作为结晶核心的极细晶体称为晶核。每个晶核长大成为晶粒

C、结晶过程就是不断形成晶核和晶核不断长大的过程

D、A+B+C

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

A.缠绕式垫片是由金属带和非金属带螺旋复合绕制而成的一种半金属平垫片。

B.回弹性能良好，具有多道密封和一定的自紧功能，对于法兰压紧面的表面缺陷不太敏感，不粘结法兰密封表面。

C.容易对中，因而拆装便捷，可部分消除压力。

D.无法在高温、低温、冲击振动等循环交变的各种苛刻条件下保持其密封性能。

B、To是两态共存温度，即冷却曲线上出现的水平台阶温度。水平台阶的出

现是因为结晶时的潜热析出恰好补偿了金属向环境散失的热量引起的温度下降

C、要使金属由液态冷却到固态，必须冷却到To温度以下Tn的温度。金属实际冷却时的实际温度称为实际结晶温度(Tn)。Tn总低于To的现象称为过冷现象。To与Tn的差值称为过冷度。即△T=To-Tn

D、A+B+C

B、晶体的长大，取决于过冷度。实际金属结晶时，冷却速度越大，则过冷度越大，晶体呈树枝状长大。在晶核成长的初期，其内部原子规则排列，晶体可以保持规则的外形

C、但在此规则外形的棱角处具有最好的散热条件，使结晶潜热迅速逸出;同时棱角处的缺陷较多，迁移来的原子容易在此处固定。故在此优越的生长条件下优先长大，形成空间骨架，形如树杆。在其增长和变粗的同时，又有树枝在树杆上形成，长大。如此枝上生枝连续不断，直到液体全部消失。结晶得到一个具有树枝状的所谓树枝晶

D、A+B+C

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

绿色固体(C)的原料。高温下，(C)与气体(D)反应生成气体(E)，常温下(E)为白色晶体。(E)在氢氧化钠溶液中强烈水解，析出黄色固体(F)，其加热脱水所得无水盐称为铀黄，高温下，用还原性气体(G)还原固体(H)和(I)均可得到固体(B)。固体(H)可溶于硝酸，该溶液经蒸发、冷却、结晶可得亮黄色晶体(J)，若向(J)的溶液中滴加氨水可得亮黄色沉淀(K)。将(J)和(K)高温煅烧又可分别得到固体(H)。固体(H)还可与氢氧化钠反应，析出固体(F)。高温下，固体(H)可转化为固体(I)，并放出能使带火星木条复燃的气体(L)。气体(D)是一种强氧化剂，其水解产生弱酸(M)和气体(L)。试给出(A)，(B)，(C)，(D)，(E)，(F)，(G)，(H)，(I)，(J)，(K)，(L)和(M)所代表的物质的化学式，并写出有关化学反应方程式。

A.同主族金属的原子半径越大，熔点越高

B.稀有气体的原子序数越大沸点越高

C.晶体中存在离子的一定是离子晶体

D.金属晶体中的自由电子属整个晶体共有