为了减少换向极的漏磁和降低换向极磁路饱和程度在换向极铁心和机座之间增加了一个气隙称为第二气隙。（)

A.1—电枢绕组;5—换向极绕组;6—励磁绕组

B.1—励磁绕组;5—换向极绕组;6—电枢绕组

C.1—电枢绕组;5—励磁绕组;6—换向极绕组

A.电枢铁心

B.换向器

C.换向极

D.电枢绕组

E.轴和风扇

A.装置换向极

B.移动电刷的位置

C.减小电枢电流

D.转子串电阻

A.削弱主磁场

B.增强主磁场

C.抵消电枢反应

D.产生主磁场

A.换向极

B.电刷装置

C.换向器

D.主磁极

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS（off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

A.电压

B.电枢

C.电磁

D.电源

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,

C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V_A|=200V,V_DS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流I_DQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻r_ds,放大因子μ.(2)当V_DS增加10%时,相应的I_DQ值.(3)画出小信号电路模型.