扩散硅压阻片的测压原理是半导体的电阻变化率与被测压力（)。

A.耐酸碱橡胶

B.陶瓷敏感元件

C.有色金属材料

D.半导体材料

A.正比

B.反比

C.连通

D.微积分

A.正比

B.反比

C.平方

D.对数

A.静压

B.液柱高度

C.动液面

D.实测压力

A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥

C.集力敏与力电转换检测于一体

D.根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小

A.压阻效应

B.光电效应

C.气阻效应

D.霍尔效应

A.金属应变片

B.半导体应变片

C.压敏电阻

D.压电材料

A.扩散电阻的表面杂质浓度

B.纵向压阻系数

C.温度

D.横向压阻系数