设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

别接通A，B，C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流I_C。

_br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T₁，T₂各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益A_P，输入电阻R_i及输出电阻R₀的表达式。

inωtV，试画出电压u_o的波形。

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示，其中。BJT的，f_T=300MHz及C_be=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率f_H。

多路电流源电路如图题7.1.7所示（L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|V_BE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。

忽略不计，v_i为正弦电压。(1)求理想情况下最大输出功率P_om;(2)求电路输出级的效率η。

A.PNP型硅三极管

B.PNP型锗三极管

C.NPN型硅三极管

D.NPN型锗三极管

（1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶

体三极管的|V_A|均为100V，|V_BE(on)|=0.7V，并设T₂₃的输入电阻为9.1MΩ，I_C17=550μA，|V_CC|=|V_EE|=15V，试求T₁₆、T₁₇组成的中间增益级的输入电阻R₁和电压增益A_v。

(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻R_id和互导增益A_g。设各管r_ce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

略不计，v₁为正弦电压。(1)指出图题9.6.2是属于O_TL还是O_CL电路;(2)求理想情况下最大输出功率P_om;(3)求电路输出级的效率η。