以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.少子反型

B.多子积累

C.多子耗尽

D.本征状态

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

A.半导体(Si衬底)

B.金属(栅极/电极)

C.氧化物(SiO2)

D.以上都不是

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于p型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时，两种半导体材料的晶格常数要相匹配，以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子