题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体,在工作时通常源端接___。
A.n型,电源电压
B.n型,地
C.p型,电源电压
D.p型,地
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A.n型,电源电压
B.n型,地
C.p型,电源电压
D.p型,地
第2题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
第8题
屋面卷材防水施工中,关于找平层的排水坡度应符合设计要求的表述,错误的是()。
A.采用材料找坡宜为2%
B.天沟、檐沟纵向找坡不应小于1%
C.沟底水落差不得超过300mm
D.平屋面采用结构找坡不应小于3%