锑化铟的禁带宽度E_g=0. 18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m_n⁺= 0. 015m, m₀为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（)

A.hfhf＞Eg

B.hf=Eg

A.金属

B.N型锗

C.N型锑化铟

D.N型砷化铟

CIS的禁带宽度为（)，是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

A. 金属;

B. 杂质半导体;

C. 绝缘体;

D. 本征半导体;

为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（)。

A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。

C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。

D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（)以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。