上芯加工MAP产品时，更换晶圆时由（)核对

A.流程卡

B.晶圆管制卡

C.晶圆上芯数统计表

D.中测单

A.1次更换产品

B.1次/更换封装形式

C.1次更换粘片胶

D.1次更换晶圆

A.产品收尾时未将产品清理干净

B.抽检后产品归位放错或是卡物分离造成混批

C.晶圆上机前未核对批号，造成晶圆混料

D.产品在传递，烘烤过程前后将流程卡放错造成混批

A.WAFERMAPPING批号与实际晶圆批号一致

B.中测单中BIN的数目应与设备上所显示的BIN数目一致

C.中测单中芯片数与MAP中BIN的数目

D.MAP旋转角度与晶圆统计表中角度是否一致

E.文件名及编号与实际加工片号一致

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.添加框架

B.更换晶圆

C.更换点胶头

D.更换粘片胶

A.晶圆上芯数统计表

B.工艺参数监控记录

C.顶针更换记录

D.首检记录

A.客户代码

B.工单号

C.晶圆批号

D.晶圆片数

A.4吋

B.3吋

C.6吋

D.8吋

A.晶圆上的芯片数量

B.晶圆实际加工芯片数

C.晶圆批号

D.晶圆片号

A.晶圆上芯数统计表

B.高倍镜检记录

C.顶针更换记录

D.首检记录