在异质结的界面处引入界面态的主要原因是？（)

A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱

B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的

C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)

D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱

A.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层

B.界面两边形成的都是耗尽层

C.界面两边形成的都是积累层

D.界面两边形成的都是反型层

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

A.界面两侧介质的声阻抗

B.界面两侧介质的声速

C.界面两侧介质的衰减系数

D.以上全部

A.固定正电荷

B.Si-SiO2界面态

C.可动电荷

D.电离陷阱

声波遇到异质界面时，在原介质中改变传播方向的现象叫做（)现象。

A.靠近P区的势垒区边界

B.靠近N区的势垒区边界

C.PN结界面处

D.电势处处相等

A.反射

B.折射

C.波型转换

D.以上都可能