下列几种说法是否正确,为什么?(1)高斯面上场强处处为零时,高斯面内必定没有电荷.(2)高斯面内净电荷为零时,面上各点场强必为零.(3)穿过高斯面的E通量为零时,面上各点场强必为零(4)穿过高斯面的E通量仅由面内电荷决定(5)高斯面上各点的场强仅是由面内电荷激发的.
第1题
第2题
第3题
下列说法是否正确?为什么?举例说明.
(1)两个单键就组成一个双键.
(2)非极性分子中只有非极性键.
(3)极性分子中的化学键都有极性.
(4)有共价键的化合物都不可能形成离子晶体.
(5)全由共价键结合的物质只能形成分子晶体.
(6)分子量越大,分子间力越大.
(7)极性分子之间的作用力就是取向力.
(8)色散力仅存在于非极性分子之问.
(9)碘化氢的分子间力比碘化氢大,故碘化氢没有溴化氢稳定.
(10)氢键是一种特殊的分子间力,仅存在于分子之间.
第4题
判断下列命题(或说法)是否正确,为什么?
(1)如果向量可由向量组a1,a2,a3线性表示,即则表示系数k1,k2,k3不全为零;
(2)若向量组a1,a2,…,an是线性相关的,则a1一定可由线性表示;
(3)若向量组a1,a2线性相关,向量组1,2线性相关,则有不全为零的数k1,k2线性相关;
(4)如果存在不全为零的数k1,k2,…,kn使则向量组,a1,…,an线性无关;
(5)若a1,a2,a3在线性无关a2,a3,a1线性相关,则a1不可a1,a2,a3线性表示。
第5题
给定线性方程组
(1)写出高斯-赛德尔迭代格式。
(2)判断该迭代格式是否收敛。
第6题
以下说法是否正确?为什么?
(1)放热反应都可以自发地进行.
(2)凡的反应都不能自发进行.
(3)及的反应在高温下有可能自发进行.
(4)物质的温度越高,熵值越大.
(5)纯单质的皆为零.
第7题
以下说法是否正确?为什么?
(1)对于任意给定的正数ε,数列{an}中有无穷多项an满足不等式|an-a|<ε,则
(2)设a<b,并且对于任意给定的正数,在邻域U(a;ε)和U(b;ε)中各含数列{an}中的无穷多项,则{an}是发散数列。
(3)收敛数列必有界,发散数列必无界;
(4)无界数列一定是无穷大数列;
(5)有界的发散数列一定不是单调数列;
(6)若数列{anbn}收敛,则{an}和{bn}或者同时收敛,或者同时发散。
第9题
判断下列说法是否正确,为什么?
A.由于81C55不具有地址锁存功能,因此在与AT89S51的接口电路中必须加地址锁存器。
B.在81C55芯片中,决定端口和RAM单元编址的信号线是AD7~ADO和。
C.82C55具有三态缓冲器,因此可以直接挂在系统的数据总线上。
D.82C55的B口可以设置成方式2。
第10题
下列各题中,函数f(x)与g(x)是否相同?为什么?
(1)f(x)=lgx2,g(x)=2lgx;
(3)f(x)=,g(x)=tanx;
(3)
(4)f(x)=lg(x2-4),g(x)=lg(x-2)+lg(x+2);
(5)f(x)=,g(x)=x2-1;
(6)f(x)=,g(x)=|x|。