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[主观题]
采用SRAM62256存储器芯片(32Kx8b)设计一个8086微机系统的RAM扩展电路，要求：容量为32K字，地址从10000H开始。
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第4题
高电平为读，低电平为写)。
已知该机存储器地址空间从0连续编址，其地址空间分配如下：最低8K为系统程序区，由ROM芯片组成;紧接着40K为备用区，暂不连接芯片;而后78K为用户程序和数据空间，用静态RAM芯片组成;最后2K用于I/O设备(与主存统一编址)。现有芯片如下：
SRAM：16K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，WE：为写控制信号，低电平写，高电平读。
ROM：8K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，OE：为读出控制，低电平读出有效。
译码器：3―8译码器，输出低电平有效;为使能信号，低电平时译码器功能有效。
其它“与、或”等逻辑门电路自选。
(1)请问该主存需多少SRAM芯片？
(2)试画出主存芯片与CPU的连接逻辑图。
(3)写出各芯片地址分配表。
