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[单选题]

以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

答案
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更多“以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。”相关的问题

第1题

总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。()
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第2题

有一平行板电容器,极板面积为S, 极板间的距离为d, 极板间的介质为空气。现将一厚度为d/3的金属板插入该电容器的两极板间并保持与极板平行;求:(1)此时该电容器的电容;(2)设该电容器所带的电量q始终保持不变,求插入金属板前后电场能量的变化。

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第3题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第4题

以下各项中,与商业银行存款利率高低无关的是()。

A.存款的期限

B.商业银行经营实力

C.商业银行经营目标

D.商业银行资本需求量

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第5题

动态RAM的基本存储电路,是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失,必须定时给电容补充电荷,这一操作称为()。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

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第6题

3、以下有关血压变化特点不正确的是()。

A.动脉血压随年龄的增长而逐渐升高

B.一般傍晚较清晨高

C.一般右上肢高于左上肢,下肢收缩压高于上肢

D.血压的升高与降低与运动无关

E.袖带缠绕过松血压偏高,袖带缠绕过紧血压偏低。

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第7题

凡是与理想电流源串联的元件其电流都等于此恒流源的电流,与其它外部电路无关。()
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第8题

电路如图题2.4.11所示,A1、A2为理想运放,电容的初始电压vc(0)=0。(1)写出vo与v
电路如图题2.4.11所示,A1、A2为理想运放,电容的初始电压vc(0)=0。(1)写出vo与v

11,v12和v13之间的关系式;(2)写出当电路中电阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R时,输出电压v0的表达式。

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第9题

平行板电容器的电容,与介质的介电常数和正对面积成(),与极板间的距离成反比。
平行板电容器的电容,与介质的介电常数和正对面积成(),与极板间的距离成反比。

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第10题

燃气轮机理想循环的热效率与温比(),与压气机压比()。

A.无关无关

B.无关有关

C.有关有关

D.有关无关

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第11题

有人认为,高考是很重要的考试,一年只有一次,应该让迟到考生进场考试。如果以下各项为真,最能削弱
上述观点的是:

A.不让迟到考生进场,有可能错失选拔优秀人才的机会

B.高考是很重要的考试,但并不一定会决定考生的命运

C.美国的高考-SAT考试,允许迟到的考生进场考试

D.遵守考场规则与考试的重要性、每年举行的次数无关

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